SCT020H120G3AG 可以购买了,但通常没有现货。
可用替代品:

参数等效


STMicroelectronics
现货: 0
单价: $15.88423
规格书

参数等效


STMicroelectronics
现货: 0
单价: $29.49000
规格书

类似


Diodes Incorporated
现货: 0
单价: $20.14560
规格书

类似


Diodes Incorporated
现货: 0
单价: $33.26820
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表面贴装型 N 通道 1200 V 100A(Tc) 555W(Tc) H2PAK-7
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表面贴装型 N 通道 1200 V 100A(Tc) 555W(Tc) H2PAK-7
H2PAK-7

SCT020H120G3AG

DigiKey 零件编号
497-SCT020H120G3AG-ND
制造商
制造商产品编号
SCT020H120G3AG
描述
SICFET N-CH 1200V 100A H2PAK-7
原厂标准交货期
21 周
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 1200 V 100A(Tc) 555W(Tc) H2PAK-7
规格书
 规格书
产品属性
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类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.2V @ 2.3mA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
121 nC @ 18 V
系列
Vgs(最大值)
+18V,-5V
包装
散装
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3465 pF @ 800 V
零件状态
在售
功率耗散(最大值)
555W(Tc)
FET 类型
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
技术
等级
汽车级
漏源电压(Vdss)
1200 V
资质
AEC-Q101
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
安装类型
表面贴装型
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
15V,18V
供应商器件封装
H2PAK-7
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
28 毫欧 @ 50A,18V
封装/外壳
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (4)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
SCT019H120G3AGSTMicroelectronics0497-SCT019H120G3AG-ND$15.88423参数等效
SCT020HU120G3AGSTMicroelectronics0497-SCT020HU120G3AGCT-ND$29.49000参数等效
DMWSH120H28SCT7Diodes Incorporated031-DMWSH120H28SCT7-ND$20.14560类似
DMWSH120H28SCT7QDiodes Incorporated031-DMWSH120H28SCT7Q-ND$33.26820类似
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制造商标准包装
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