A1P50S65M2-F 可以购买了,但通常没有现货。
可用替代品:

参数等效


STMicroelectronics
现货: 0
单价: $65.61000
规格书

参数等效


STMicroelectronics
现货: 0
单价: $70.59167
规格书
IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器 650 V 50 A 208 W 底座安装 ACEPACK™ 1
图像仅供参考,请参阅产品规格书。
IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器 650 V 50 A 208 W 底座安装 ACEPACK™ 1
Traction Inverter Power Stages in Electric Vehicles

A1P50S65M2-F

DigiKey 零件编号
A1P50S65M2-F-ND
制造商
制造商产品编号
A1P50S65M2-F
描述
IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK 1
原厂标准交货期
99 周
客户内部零件编号
详细描述
IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器 650 V 50 A 208 W 底座安装 ACEPACK™ 1
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
A1P50S65M2-F 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
STMicroelectronics
系列
-
包装
托盘
零件状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
配置
三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值)
650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
50 A
功率 - 最大值
208 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.3V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值)
100 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
4.15 nF @ 25 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
ACEPACK™ 1
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