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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
S2M0160120D | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 1655-S2M0160120D-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | S2M0160120D |
描述 | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V |
原厂标准交货期 | 12 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 1200 V 17A（Tc） 130W（Tc） TO-247AD |
规格书 | 规格书 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | - | |
包装 | 管件 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 1200 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 20V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 196 毫欧 @ 10A，20V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 2.5mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 26.5 nC @ 20 V | |
Vgs（最大值） | +20V，-5V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 513 pF @ 1000 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 130W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | TO-247AD | |
封装/外壳 |
现货: 240
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数量
所有价格均以 SGD 计算
管件
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $7.27000 | $7.27 |
| 10 | $4.83300 | $48.33 |
| 300 | $3.02603 | $907.81 |
| 600 | $2.81120 | $1,686.72 |
| 1,200 | $2.69950 | $3,239.40 |
| 不含 VAT 单价: | $7.27000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $7.92430 |
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