
S2M0080120K | |
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DigiKey 零件编号 | 1655-S2M0080120K-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | S2M0080120K |
描述 | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V |
原厂标准交货期 | 12 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 1200 V 41A(Tc) 231W(Tc) TO-247-4 |
规格书 | 规格书 |
类型 | 描述 | 全选 |
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类别 | ||
制造商 | ||
系列 | - | |
包装 | 管件 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压(Vdss) | 1200 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 20V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 100 毫欧 @ 20A,20V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 10mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 54 nC @ 20 V | |
Vgs(最大值) | +25V,-10V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1324 pF @ 1000 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 231W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | TO-247-4 | |
封装/外壳 |
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $11.01000 | $11.01 |
| 30 | $6.38500 | $191.55 |
| 120 | $5.36908 | $644.29 |
| 510 | $4.69839 | $2,396.18 |
| 不含 VAT 单价: | $11.01000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $12.00090 |






