TO-263-7
图像仅供参考,请参阅产品规格书。
TO-263-7
TO-263-7

S2M0160120J

DigiKey 零件编号
1655-S2M0160120J-ND
制造商
制造商产品编号
S2M0160120J
描述
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
原厂标准交货期
12 周
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 1200 V 16A(Tc) 122W(Tc) TO-263-7
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
196 毫欧 @ 10A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
26.5 nC @ 20 V
Vgs(最大值)
+20V,-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
513 pF @ 1000 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
122W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
等级
-
资质
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-263-7
封装/外壳
产品问答

了解工程师们提出的问题,提出您自己的问题,或者帮助 DigiKey 工程社区的成员

现货: 296
检查是否有其他入库库存
所有价格均以 SGD 计算
管件
数量 单价总价
1$8.85000$8.85
10$5.94800$59.48
100$4.30110$430.11
500$3.59948$1,799.74
1,000$3.51679$3,516.79
制造商标准包装
注意:由于 DigiKey 的增值服务,当产品采购数量低于标准包装时,包装类型可能有变。
不含 VAT 单价:$8.85000
含 VAT 单价:$9.64650