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类别 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 52 毫欧 @ 40A，20V |
制造商 SemiQ | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 10mA |
系列 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 115nC @ 20V |
包装 盒 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3200pF @ 800V |
零件状态 在售 | 功率 - 最大值 217W（Tc） |
技术 碳化硅（SiC） | 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ） |
配置 4 N 沟道（全桥） | 安装类型 底座安装 |
漏源电压（Vdss） 1200V（1.2kV） | 封装/外壳 模块 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 56A（Tc） |
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| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $83.91000 | $83.91 |
| 10 | $63.94800 | $639.48 |
| 100 | $57.65860 | $5,765.86 |
| 不含 VAT 单价: | $83.91000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $91.46190 |
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