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类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | SemiQ | |
系列 | ||
包装 | 盒 | |
零件状态 | 在售 | |
技术 | 碳化硅（SiC） | |
配置 | 4 N 沟道（全桥） | |
FET 功能 | - | |
漏源电压（Vdss） | 1200V（1.2kV） | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 201A（Tc） | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 14 毫欧 @ 100A，20V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 40mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 428nC @ 20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 10900pF @ 800V | |
功率 - 最大值 | 600W（Tc） | |
工作温度 | -40°C ~ 175°C（TJ） | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 底座安装 | |
封装/外壳 | 模块 | |
供应商器件封装 | - |
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $189.29000 | $189.29 |
| 10 | $165.79100 | $1,657.91 |
| 不含 VAT 单价: | $189.29000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $206.32610 |
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