EKI06075 Sanken Electric USA Inc. | 单 FET，MOSFET

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.5V @ 1mA
制造商 Sanken Electric USA Inc.	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 53.6 nC @ 10 V
包装管件	Vgs（最大值） ±20V
零件状态停产	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3810 pF @ 25 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 116W（Tc）
技术 MOSFET（金属氧化物）	工作温度 150°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 60 V	安装类型通孔
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 78A（Tc）	供应商器件封装 TO-220-3
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V	封装/外壳 TO-220-3
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 6.3 毫欧 @ 39A，10V

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零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
DMT6005LCT	Diodes Incorporated	0	DMT6005LCT-ND	$1.64380	类似
DMT6010SCT	Diodes Incorporated	0	DMT6010SCTDI-5-ND	$2.94000	类似
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EKI06075