SCT2H12NYTB Rohm Semiconductor | 分立半导体产品

SCT2H12NYTB
DigiKey 零件编号	SCT2H12NYTBTR-ND - 卷带（TR） SCT2H12NYTBCT-ND - 剪切带（CT） SCT2H12NYTBDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Rohm Semiconductor
制造商产品编号	SCT2H12NYTB
描述	SICFET N-CH 1700V 4A TO268
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 1700 V 4A（Tc） 44W（Tc） TO-268
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	SCT2H12NYTB 型号

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Rohm Semiconductor
系列	-
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	停产
FET 类型	N 通道
技术	SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）	1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.5 欧姆 @ 1.1A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 410µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	14 nC @ 18 V
Vgs（最大值）	+22V，-6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	184 pF @ 800 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	44W（Tc）
工作温度	175°C（TJ）
等级	-
资质	-
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TO-268
封装/外壳	TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
基本产品编号	SCT2H12