RS1E200BNTB 可以购买了，但通常没有现货。
可用替代品:

直接

IRFHM830TRPBF
Infineon Technologies
现货: 0
单价: $0.00000
规格书

类似

BSC042N03LSGATMA1
Infineon Technologies
现货: 22,296
单价: $1.93000
规格书

类似

BSC0906NSATMA1
Infineon Technologies
现货: 7,905
单价: $1.14000
规格书

类似

CSD17577Q5A
Texas Instruments
现货: 4,884
单价: $1.60000
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表面贴装型 N 通道 30 V 20A（Ta），68A（Tc） 3W（Ta），25W（Tc） 8-HSOP
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RS1E200BNTB

DigiKey 零件编号
RS1E200BNTBTR-ND - 卷带（TR）
RS1E200BNTBCT-ND - 剪切带（CT）
RS1E200BNTBDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商
Rohm Semiconductor
制造商产品编号
RS1E200BNTB
描述
MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
原厂标准交货期
16 周
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 30 V 20A（Ta），68A（Tc） 3W（Ta），25W（Tc） 8-HSOP
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
RS1E200BNTB 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A（Ta），68A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.9 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
59 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3100 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3W（Ta），25W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-HSOP
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
RS1E
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数量
所有价格均以 SGD 计算
卷带（TR）
数量 单价总价
2,500$0.43460$1,086.50
5,000$0.40135$2,006.75
7,500$0.38441$2,883.07
12,500$0.36538$4,567.25
17,500$0.36347$6,360.73
制造商标准包装
不含 VAT 单价:$0.43460
含 VAT 单价:$0.47371