表面贴装型 N 通道 30 V 18A（Ta），39A（Tc） 2W（Ta），20W（Tc） 8-HSMT（3.2x3）
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表面贴装型 N 通道 30 V 18A（Ta），39A（Tc） 2W（Ta），20W（Tc） 8-HSMT（3.2x3）
8 HSMT

RQ3E180GNTB

DigiKey 零件编号
RQ3E180GNTBTR-ND - 卷带（TR）
RQ3E180GNTBCT-ND - 剪切带（CT）
RQ3E180GNTBDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商
Rohm Semiconductor
制造商产品编号
RQ3E180GNTB
描述
MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT
原厂标准交货期
21 周
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 30 V 18A（Ta），39A（Tc） 2W（Ta），20W（Tc） 8-HSMT（3.2x3）
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
RQ3E180GNTB 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
18A（Ta），39A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.3 毫欧 @ 18A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
22.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1520 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2W（Ta），20W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-HSMT（3.2x3）
封装/外壳
8-PowerVDFN
基本产品编号
RQ3E180
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现货: 1,553
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数量
所有价格均以 SGD 计算
剪切带（CT） & Digi-Reel® 得捷定制卷带
数量 单价总价
1$1.52000$1.52
10$0.95000$9.50
100$0.62230$62.23
500$0.48140$240.70
1,000$0.43599$435.99
* 所有 Digi-Reel® 订单会收取￥49.00 卷盘费。
卷带（TR）
数量 单价总价
3,000$0.37828$1,134.84
6,000$0.34922$2,095.32
9,000$0.33442$3,009.78
15,000$0.31779$4,766.85
21,000$0.31521$6,619.41
制造商标准包装
不含 VAT 单价:$1.52000
含 VAT 单价:$1.65680