IGBT 沟槽型场截止 650 V 60 A 194 W 通孔 TO-247N
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RGTV60TS65DGC11

DigiKey 零件编号
RGTV60TS65DGC11-ND
制造商
Rohm Semiconductor
制造商产品编号
RGTV60TS65DGC11
描述
IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-247N
客户内部零件编号
详细描述
IGBT 沟槽型场截止 650 V 60 A 194 W 通孔 TO-247N
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
管件
零件状态
不适用于新设计
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
60 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.9V @ 15V，30A
功率 - 最大值
194 W
开关能量
570µJ（导通），500µJ（关断）
输入类型
标准
栅极电荷
64 nC
25°C 时 Td（开/关）值
33ns/105ns
测试条件
400V，30A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
95 ns
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247N
基本产品编号
RGTV60
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