IGBT 沟槽型场截止 650 V 35 A 72 W 通孔 TO-3PFM
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RGTH00TK65GC11

DigiKey 零件编号
RGTH00TK65GC11-ND
制造商
制造商产品编号
RGTH00TK65GC11
描述
IGBT TRENCH FS 650V 35A TO-3PFM
原厂标准交货期
22 周
客户内部零件编号
详细描述
IGBT 沟槽型场截止 650 V 35 A 72 W 通孔 TO-3PFM
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)
650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
35 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
200 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.1V @ 15V,50A
功率 - 最大值
72 W
开关能量
-
输入类型
标准
栅极电荷
94 nC
25°C 时 Td(开/关)值
39ns/143ns
测试条件
400V,50A,10 欧姆,15V
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3PFM,SC-93-3
供应商器件封装
TO-3PFM
基本产品编号
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30$2.90067$87.02
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