IGBT 沟槽型场截止 650 V 30 A 133 W 通孔 TO-262
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RGT30NS65DGC9

DigiKey 零件编号
RGT30NS65DGC9-ND
制造商
Rohm Semiconductor
制造商产品编号
RGT30NS65DGC9
描述
IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-262
原厂标准交货期
22 周
客户内部零件编号
详细描述
IGBT 沟槽型场截止 650 V 30 A 133 W 通孔 TO-262
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
30 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
45 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.1V @ 15V，15A
功率 - 最大值
133 W
开关能量
-
输入类型
标准
栅极电荷
32 nC
25°C 时 Td（开/关）值
18ns/64ns
测试条件
400V，15A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
55 ns
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
供应商器件封装
TO-262
基本产品编号
RGT30
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现货: 2,894
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数量
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管件
数量 单价总价
1$5.29000$5.29
50$2.68420$134.21
100$2.43200$243.20
500$1.98988$994.94
1,000$1.84786$1,847.86
2,000$1.76765$3,535.30
制造商标准包装
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不含 VAT 单价:$5.29000
含 VAT 单价:$5.76610