IGBT 沟槽型场截止 650 V 63 A 200 W 通孔 TO-247GE
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RGE80TS65DGC13

DigiKey 零件编号
846-RGE80TS65DGC13-ND
制造商
Rohm Semiconductor
制造商产品编号
RGE80TS65DGC13
描述
5S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V
客户内部零件编号
详细描述
IGBT 沟槽型场截止 650 V 63 A 200 W 通孔 TO-247GE
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
管件
零件状态
不适用于新设计
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
63 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.05V @ 15V，40A
功率 - 最大值
200 W
开关能量
1.09mJ（导通），780µJ（关断）
输入类型
标准
栅极电荷
85 nC
25°C 时 Td（开/关）值
49ns/131ns
测试条件
400V，40A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
183 ns
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247GE
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现货: 595
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数量
所有价格均以 SGD 计算
管件
数量 单价总价
1$10.16000$10.16
30$5.86267$175.88
120$4.91767$590.12
510$4.24682$2,165.88
制造商标准包装
注意：由于 DigiKey 的增值服务，当产品采购数量低于标准包装时，包装类型可能有变。
不含 VAT 单价:$10.16000
含 VAT 单价:$11.07440