IGBT 沟槽型场截止 650 V 51 A 166 W 通孔 TO-247GE
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RGE60TS65DGC13

DigiKey 零件编号
846-RGE60TS65DGC13-ND
制造商
Rohm Semiconductor
制造商产品编号
RGE60TS65DGC13
描述
5S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V
客户内部零件编号
详细描述
IGBT 沟槽型场截止 650 V 51 A 166 W 通孔 TO-247GE
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
管件
零件状态
不适用于新设计
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
51 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
90 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.05V @ 15V，30A
功率 - 最大值
166 W
开关能量
640µJ（导通），570µJ（关断）
输入类型
标准
栅极电荷
63 nC
25°C 时 Td（开/关）值
40ns/114ns
测试条件
400V，30A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
166 ns
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247GE
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现货: 600
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数量
所有价格均以 SGD 计算
管件
数量 单价总价
1$9.33000$9.33
30$5.34500$160.35
120$4.46892$536.27
510$3.82676$1,951.65
1,020$3.79075$3,866.57
制造商标准包装
注意：由于 DigiKey 的增值服务，当产品采购数量低于标准包装时，包装类型可能有变。
不含 VAT 单价:$9.33000
含 VAT 单价:$10.16970