Name: R6030ENX
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: R6030ENX-ND
Price: 4.02256 SGD
Availability: OutOfStock

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 1mA
制造商 Rohm Semiconductor	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 85 nC @ 10 V
包装散装	Vgs（最大值） ±30V
零件状态不适用于新设计	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2100 pF @ 25 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 40W（Tc）
技术 MOSFET（金属氧化物）	工作温度 150°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 600 V	安装类型通孔
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 30A（Tc）	供应商器件封装 TO-220FM
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	封装/外壳 TO-220-3 整包
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 130 毫欧 @ 14.5A，10V	基本产品编号 R6030

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