R6020KNZ1C9 已经过时且不再制造。
可用替代品:

直接


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现货: 402
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Rohm Semiconductor
现货: 17
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直接


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现货: 693
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规格书

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IXYS
现货: 0
单价: $16.15000
规格书

类似


IXYS
现货: 0
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规格书

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IXYS
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规格书

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单价: $0.00000
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现货: 0
单价: $7.70000
规格书
R6020ENZ4C13
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

R6020KNZ1C9

DigiKey 零件编号
R6020KNZ1C9-ND
制造商
制造商产品编号
R6020KNZ1C9
描述
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 600 V 20A(Tc) 231W(Tc) TO-247
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
R6020KNZ1C9 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
-
包装
管件
零件状态
停产
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
196 毫欧 @ 9.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
40 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1550 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
231W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247
封装/外壳
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