R6020ENZ1C9 已经过时且不再制造。
可用替代品:

直接


Rohm Semiconductor
现货: 550
单价: $8.92000
规格书

类似


Rohm Semiconductor
现货: 296
单价: $9.35000
规格书

类似


Microchip Technology
现货: 0
单价: $15.74600
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 227
单价: $6.39000
规格书

类似


IXYS
现货: 560
单价: $21.85000
规格书

类似


IXYS
现货: 0
单价: $18.94000
规格书

类似


IXYS
现货: 0
单价: $26.54000
规格书

类似


IXYS
现货: 0
单价: $39.06043
规格书

类似


Vishay Siliconix
现货: 439
单价: $7.87000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 5,412
单价: $7.67000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 0
单价: $6.27000
规格书

类似


Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 13
单价: $12.17000
规格书
通孔 N 通道 600 V 20A(Tc) 120W(Tc) TO-247
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

R6020ENZ1C9

DigiKey 零件编号
R6020ENZ1C9-ND
制造商
制造商产品编号
R6020ENZ1C9
描述
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 600 V 20A(Tc) 120W(Tc) TO-247
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
R6020ENZ1C9 型号
产品属性
筛选类似产品
显示空属性
类别
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
制造商
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
60 nC @ 10 V
包装
管件
Vgs(最大值)
±20V
零件状态
停产
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1400 pF @ 25 V
FET 类型
功率耗散(最大值)
120W(Tc)
技术
工作温度
150°C(TJ)
漏源电压(Vdss)
600 V
安装类型
通孔
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
供应商器件封装
TO-247
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
封装/外壳
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
196 毫欧 @ 9.5A,10V
环境与出口分类
产品问答
其他资源
替代品 (12)
零件编号制造商 现有数量DigiKey 零件编号 单价替代类型
R6020ENZ4C13Rohm Semiconductor550846-R6020ENZ4C13-ND$8.92000直接
R6020ENZC17Rohm Semiconductor296846-R6020ENZC17-ND$9.35000类似
APT34M60BMicrochip Technology0APT34M60B-ND$15.74600类似
IPW65R190C7XKSA1Infineon Technologies227IPW65R190C7XKSA1-ND$6.39000类似
IXFH36N60PIXYS560IXFH36N60P-ND$21.85000类似
过期
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