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R6020ENZ1C9 已经过时且不再制造。
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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
R6020ENZ1C9 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | R6020ENZ1C9-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | R6020ENZ1C9 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 20A TO247 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 600 V 20A（Tc） 120W（Tc） TO-247 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | R6020ENZ1C9 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | - | |
包装 | 管件 | |
零件状态 | 停产 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 600 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 196 毫欧 @ 9.5A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 60 nC @ 10 V | |
Vgs（最大值） | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1400 pF @ 25 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 120W（Tc） | |
工作温度 | 150°C（TJ） | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | TO-247 | |
封装/外壳 |
过期
新加坡