BSM180C12P2E202
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BSM180C12P2E202
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

BSM600C12P3G201

DigiKey 零件编号
BSM600C12P3G201-ND
制造商
制造商产品编号
BSM600C12P3G201
描述
SICFET N-CH 1200V 600A MODULE
客户内部零件编号
详细描述
底座安装 N 通道 1200 V 600A(Tc) 2460W(Tc) 模块
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
BSM600C12P3G201 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
-
包装
托盘
零件状态
不适用于新设计
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.6V @ 182mA
Vgs(最大值)
+22V,-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
28000 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2460W(Tc)
工作温度
175°C(TJ)
等级
-
资质
-
安装类型
底座安装
供应商器件封装
模块
封装/外壳
基本产品编号
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托盘
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制造商标准包装
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不含 VAT 单价:$1,671.84000
含 VAT 单价:$1,822.30560