BSM180C12P2E202
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BSM180C12P2E202
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

BSM180C12P2E202

DigiKey 零件编号
BSM180C12P2E202-ND
制造商
Rohm Semiconductor
制造商产品编号
BSM180C12P2E202
描述
SICFET N-CH 1200V 204A MODULE
原厂标准交货期
22 周
客户内部零件编号
详细描述
底座安装 N 通道 1200 V 204A（Tc） 1360W（Tc） 模块
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
BSM180C12P2E202 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
托盘
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
204A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 35.2mA
Vgs（最大值）
+22V，-6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
20000 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1360W（Tc）
工作温度
175°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
底座安装
供应商器件封装
模块
封装/外壳
模块
基本产品编号
BSM180
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