PMV65XPEA215 NXP USA Inc. | 单 FET，MOSFET

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 9 nC @ 4.5 V
制造商 NXP USA Inc.	Vgs（最大值） ±12V
包装散装	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 618 pF @ 10 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 480mW（Ta），6.25W（Tc）
FET 类型 P 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	等级汽车级
漏源电压（Vdss） 20 V	资质 AEC-Q101
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.8A（Ta）	安装类型表面贴装型
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V	供应商器件封装 TO-236AB
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 78 毫欧 @ 2.8A，4.5V	封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.25V @ 250µA

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