IGBT 沟槽型场截止 1200 V 70 A 368 W 通孔 HPM F2
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FGL35N120FTDTU

DigiKey 零件编号
2156-FGL35N120FTDTU-ND
制造商
Fairchild Semiconductor
制造商产品编号
FGL35N120FTDTU
描述
IGBT TRENCH FS 1200V 70A HPM F2
客户内部零件编号
详细描述
IGBT 沟槽型场截止 1200 V 70 A 368 W 通孔 HPM F2
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Fairchild Semiconductor
系列
-
包装
散装
零件状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
70 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
105 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.2V @ 15V，35A
功率 - 最大值
368 W
开关能量
2.5mJ（导通），1.7mJ（关断）
输入类型
标准
栅极电荷
210 nC
25°C 时 Td（开/关）值
34ns/172ns
测试条件
600V，35A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
337 ns
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-264-3，TO-264AA
供应商器件封装
HPM F2
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