表面贴装型 N 沟道,耗尽型 200 V 660mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4-21
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BSP149L6327

DigiKey 零件编号
2156-BSP149L6327-ND
制造商
制造商产品编号
BSP149L6327
描述
N-CHANNEL POWER MOSFET
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 沟道,耗尽型 200 V 660mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4-21
规格书
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产品属性
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类别
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.8 欧姆 @ 660mA,10V
制造商
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 400µA
系列
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
14 nC @ 5 V
包装
散装
Vgs(最大值)
±20V
零件状态
在售
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
430 pF @ 25 V
FET 类型
功率耗散(最大值)
1.8W(Ta)
技术
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
漏源电压(Vdss)
200 V
安装类型
表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
供应商器件封装
PG-SOT223-4-21
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V,10V
封装/外壳
环境与出口分类
产品问答
其他资源
现货: 1,910
不可取消/不可退货
商城产品
约在 10 天内从 Rochester Electronics LLC 发货
需另付 $121.92 统一运费
最大购买数量限制
为支持所有客户的研发需求,本产品设有最高购买限额,每 30 天重置一次,累计购买不得超过该限额,所有超出部分订单将自动取消。
散装:1910
所有价格均以 SGD 计算
散装
数量 单价总价
545$0.69850$380.68
不含 VAT 单价:$0.69850
含 VAT 单价:$0.76137