Name: BSP149L6327
Brand: Infineon Technologies
SKU: 2156-BSP149L6327-ND
Price: 0.76137 SGD
Availability: InStock

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Infineon Technologies
系列	SIPMOS®
包装	散装
零件状态	在售
FET 类型	N 沟道，耗尽型
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	660mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	0V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.8 欧姆 @ 660mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 400µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	14 nC @ 5 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	430 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.8W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-SOT223-4-21
封装/外壳	TO-261-4，TO-261AA

不含 VAT 单价:	$0.69850
含 VAT 单价:	$0.76137

BSP149L6327