Name: BSB012N03LX3G
Brand: Infineon Technologies
SKU: 2156-BSB012N03LX3G-ND
Price: 2.20105 SGD
Availability: InStock

BSB012N03LX3G
DigiKey 零件编号	2156-BSB012N03LX3G-ND
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	BSB012N03LX3G
描述	N-CHANNEL POWER MOSFET
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 30 V 39A（Ta），180A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M™
规格书	规格书

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Infineon Technologies
系列	OptiMOS™
包装	散装
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	39A（Ta），180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.2 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	169 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	16900 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.8W（Ta），89W（Tc）
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
等级	-
资质	-
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	MG-WDSON-2，CanPAK M™
封装/外壳	3-WDSON

不含 VAT 单价:	$2.01931
含 VAT 单价:	$2.20105

BSB012N03LX3G