RJK5030DPD-00#J2 可以购买了，但通常没有现货。
可用替代品:

直接

TK5P50D(T6RSS-Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 3,869
单价: $3.00000
规格书

类似

AOD5N40
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
现货: 0
单价: $0.34545
规格书

类似

FDD5N50NZFTM
onsemi
现货: 0
单价: $0.00000
规格书

类似

FQD5N50CTM-WS
onsemi
现货: 0
单价: $0.00000
规格书

类似

STD5N52K3
STMicroelectronics
现货: 0
单价: $2.62000
规格书

类似

STD5N52U
STMicroelectronics
现货: 3,885
单价: $2.37000
规格书

类似

TSM5NC50CP ROG
Taiwan Semiconductor Corporation
现货: 36
单价: $2.09000
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TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
图像仅供参考，请参阅产品规格书。

RJK5030DPD-00#J2

DigiKey 零件编号
RJK5030DPD-00#J2-ND - 卷带（TR）
制造商
Renesas Electronics Corporation
制造商产品编号
RJK5030DPD-00#J2
描述
MOSFET N-CH 500V 5A MP3A
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 500 V 5A（Ta） 41.7W（Tc） MP-3A
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
RJK5030DPD-00#J2 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Renesas Electronics Corporation
系列
-
包装
卷带（TR）
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.6 欧姆 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
-
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
550 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
41.7W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
MP-3A
封装/外壳
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
基本产品编号
RJK5030
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