NP90N06VLG-E1-AY
DigiKey 零件编号	NP90N06VLG-E1-AYTR-ND - 卷带（TR）
制造商	Renesas Electronics Corporation
制造商产品编号	NP90N06VLG-E1-AY
描述	MOSFET N-CH 60V 90A TO252
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 60 V 90A（Tc） 1.2W（Ta），105W（Tc） TO-252
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	NP90N06VLG-E1-AY 型号

类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 135 nC @ 10 V
制造商 Renesas Electronics Corporation	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 6900 pF @ 25 V
零件状态停产	功率耗散（最大值） 1.2W（Ta），105W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 175°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	等级汽车级
漏源电压（Vdss） 60 V	资质 AEC-Q101
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 90A（Tc）	安装类型表面贴装型
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V	供应商器件封装 TO-252
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 7.8 毫欧 @ 45A，10V	封装/外壳 TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.5V @ 250µA

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
FDD10AN06A0	onsemi	3,062	FDD10AN06A0CT-ND	$4.03000	类似
IPD50N06S4L08ATMA1	Infineon Technologies	2,268	IPD50N06S4L08ATMA1TR-ND	$0.67310	类似
IRFR1018ETRPBF	Infineon Technologies	21,490	IRFR1018ETRPBFCT-ND	$2.29000	类似
IRFR7546TRPBF	Infineon Technologies	689	IRFR7546TRPBFCT-ND	$1.98000	类似
IRLR3636TRLPBF	Infineon Technologies	173	448-IRLR3636TRLPBFCT-ND	$3.25000	类似

NP90N06VLG-E1-AY