NP80N06PLG-E1B-AY
DigiKey 零件编号	NP80N06PLG-E1B-AYTR-ND - 卷带（TR）
制造商	Renesas Electronics Corporation
制造商产品编号	NP80N06PLG-E1B-AY
描述	MOSFET N-CH 60V 80A TO263
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 60 V 80A（Tc） 1.8W（Ta），115W（Tc） TO-263
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	NP80N06PLG-E1B-AY 型号

类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 128 nC @ 10 V
制造商 Renesas Electronics Corporation	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 6900 pF @ 25 V
零件状态停产	功率耗散（最大值） 1.8W（Ta），115W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 175°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	等级汽车级
漏源电压（Vdss） 60 V	资质 AEC-Q101
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 80A（Tc）	安装类型表面贴装型
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V	供应商器件封装 TO-263
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 8.3 毫欧 @ 40A，10V	封装/外壳 TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.5V @ 250µA

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
BUK768R3-60E,118	Nexperia USA Inc.	4,234	1727-7258-1-ND	$3.88000	类似
IPB081N06L3GATMA1	Infineon Technologies	5,302	IPB081N06L3GATMA1CT-ND	$3.92000	类似
IPB090N06N3GATMA1	Infineon Technologies	0	IPB090N06N3GATMA1CT-ND	$3.79000	类似
IRF1018ESTRLPBF	Infineon Technologies	3	IRF1018ESTRLPBFCT-ND	$3.79000	类似
IRF3205STRLPBF	Infineon Technologies	1,400	IRF3205STRLPBFCT-ND	$4.11000	类似

NP80N06PLG-E1B-AY