Name: NP50P06KDG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-NP50P06KDG-E1-AYTR-ND
Price: 5.7661 SGD
Availability: InStock

表面贴装型 P 通道 60 V 50A（Tc） 1.8W（Ta），90W（Tc） TO-263

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

NP50P06KDG-E1-AY
DigiKey 零件编号	559-NP50P06KDG-E1-AYTR-ND - 卷带（TR） 559-NP50P06KDG-E1-AYCT-ND - 剪切带（CT） 559-NP50P06KDG-E1-AYDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Renesas Electronics Corporation
制造商产品编号	NP50P06KDG-E1-AY
描述	MOSFET P-CH 60V 50A TO263
原厂标准交货期	12 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 P 通道 60 V 50A（Tc） 1.8W（Ta），90W（Tc） TO-263
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	NP50P06KDG-E1-AY 型号

产品属性

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Category 分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 95 nC @ 10 V
制造商 Renesas Electronics Corporation	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 5000 pF @ 10 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 1.8W（Ta），90W（Tc）
FET 类型 P 通道	工作温度 175°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	等级汽车级
漏源电压（Vdss） 60 V	资质 AEC-Q101
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 50A（Tc）	安装类型表面贴装型
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V	供应商器件封装 TO-263
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 17 毫欧 @ 25A，10V	封装/外壳 TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.5V @ 1mA	基本产品编号 NP50P06