PJW5N10-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. | 单 FET，MOSFET

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 12 nC @ 10 V
制造商 Panjit International Inc.	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 707 pF @ 30 V
零件状态停产	功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），8W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	等级汽车级
漏源电压（Vdss） 100 V	资质 AEC-Q101
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.1A（Ta），5A（Tc）	安装类型表面贴装型
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V	供应商器件封装 SOT-223
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 130 毫欧 @ 2.5A，10V	封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.5V @ 250µA	基本产品编号 PJW5N10

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