IGBT 模块 场截止 全桥反相器 650 V 75 A 236 W 底座安装 32-PIM（56.7x42.5）
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IGBT 模块 场截止 全桥反相器 650 V 75 A 236 W 底座安装 32-PIM（56.7x42.5）
Energy Infrastructure | Solutions for Solar Inverters

SNXH75M65L3F2STG

DigiKey 零件编号
488-SNXH75M65L3F2STG-ND
制造商
onsemi
制造商产品编号
SNXH75M65L3F2STG
描述
IGBT MOD 650V 75A 236W 32-PIM
原厂标准交货期
12 周
客户内部零件编号
详细描述
IGBT 模块 场截止 全桥反相器 650 V 75 A 236 W 底座安装 32-PIM（56.7x42.5）
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
onsemi
系列
-
包装
托盘
零件状态
在售
IGBT 类型
场截止
配置
全桥反相器
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
75 A
功率 - 最大值
236 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.2V @ 15V，75A
电流 - 集电极截止（最大值）
250 µA
输入
标准
NTC 热敏电阻
是
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
32-PIM（56.7x42.5）
基本产品编号
SNXH75
产品问答

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现货: 19
厂方库存：20
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数量
所有价格均以 SGD 计算
托盘
数量 单价总价
1$92.90000$92.90
20$70.65450$1,413.09
制造商标准包装
注意：由于 DigiKey 的增值服务，当产品采购数量低于标准包装时，包装类型可能有变。
不含 VAT 单价:$92.90000
含 VAT 单价:$101.26100