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类别 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 101nC @ 10V |
制造商 onsemi | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 6970pF @ 50V |
包装 管件 | 工作温度 175°C（TJ） |
零件状态 在售 | 等级 汽车级 |
技术 MOSFET（金属氧化物） | 资质 AEC-Q101 |
配置 6 N 沟道（三相逆变器） | 安装类型 通孔 |
漏源电压（Vdss） 100V | 封装/外壳 21-PowerDIP 模块（1.370"，34.80mm） |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 2.2 毫欧 @ 80A，12V | 供应商器件封装 APM21-CGA |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.5V @ 250µA |
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管件
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $40.57000 | $40.57 |
| 10 | $32.77800 | $327.78 |
| 44 | $29.85909 | $1,313.80 |
| 132 | $28.35742 | $3,743.18 |
| 264 | $27.62220 | $7,292.26 |
| 不含 VAT 单价: | $40.57000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $44.22130 |
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