产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | onsemi | |
系列 | - | |
包装 | 托盘 | |
零件状态 | 停产 | |
IGBT 类型 | 沟槽型场截止 | |
配置 | 三级反相器 | |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 650 V | |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 483 A | |
功率 - 最大值 | 931 W | |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 2.2V @ 15V,600A | |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100 µA | |
不同 Vce 时输入电容 (Cies) | 37.1 nF @ 20 V | |
输入 | 标准 | |
NTC 热敏电阻 | 是 | |
工作温度 | -40°C ~ 175°C(TJ) | |
安装类型 | 底座安装 | |
封装/外壳 | 模块 | |
供应商器件封装 | 41-PIM/Q2PACK(93x47) | |
基本产品编号 |
现货: 20
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数量
所有价格均以 SGD 计算
托盘
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $201.39000 | $201.39 |
| 不含 VAT 单价: | $201.39000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $219.51510 |


