IGBT 模块 沟槽型场截止 2 个独立式 1200 V 50 A 186 W 底座安装 22-PIM/Q0BOOST（55x32.5）
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IGBT 模块 沟槽型场截止 2 个独立式 1200 V 50 A 186 W 底座安装 22-PIM/Q0BOOST（55x32.5）
Energy Infrastructure | Solutions for Solar Inverters

NXH100B120H3Q0STG

DigiKey 零件编号
5556-NXH100B120H3Q0STG-ND
制造商
onsemi
制造商产品编号
NXH100B120H3Q0STG
描述
IGBT MOD 1200V 50A 186W 22-PIM
原厂标准交货期
15 周
客户内部零件编号
详细描述
IGBT 模块 沟槽型场截止 2 个独立式 1200 V 50 A 186 W 底座安装 22-PIM/Q0BOOST（55x32.5）
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
onsemi
系列
-
包装
托盘
零件状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
配置
2 个独立式
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
50 A
功率 - 最大值
186 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.3V @ 15V，50A
电流 - 集电极截止（最大值）
200 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
9.075 nF @ 20 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
22-PIM/Q0BOOST（55x32.5）
基本产品编号
NXH100
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数量
所有价格均以 SGD 计算
托盘
数量 单价总价
1$90.81000$90.81
24$64.98542$1,559.65
制造商标准包装
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不含 VAT 单价:$90.81000
含 VAT 单价:$98.98290
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