类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | onsemi | |
系列 | - | |
包装 | 托盘 | |
零件状态 | 在售 | |
IGBT 类型 | 沟槽型场截止 | |
配置 | 2 个独立式 | |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 1200 V | |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 50 A | |
功率 - 最大值 | 186 W | |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 2.3V @ 15V,50A | |
电流 - 集电极截止(最大值) | 200 µA | |
不同 Vce 时输入电容 (Cies) | 9.075 nF @ 20 V | |
输入 | 标准 | |
NTC 热敏电阻 | 无 | |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
安装类型 | 底座安装 | |
封装/外壳 | 模块 | |
供应商器件封装 | 22-PIM/Q0BOOST(55x32.5) | |
基本产品编号 |
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $87.86000 | $87.86 |
| 24 | $66.00875 | $1,584.21 |
| 不含 VAT 单价: | $87.86000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $95.76740 |





