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类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.4V @ 20mA |
制造商 onsemi | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 138nC @ 18V |
包装 托盘 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3246pF @ 800V |
零件状态 在售 | 功率 - 最大值 116W |
技术 碳化硅(SiC) | 工作温度 -40°C ~ 175°C |
配置 6 N 沟道(全桥) | 安装类型 通孔 |
漏源电压(Vdss) 1200V(1.2kV) | 封装/外壳 模块 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 48A(Tc) | 基本产品编号 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 30 毫欧 @ 50A,18V |
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| 1 | $119.33000 | $119.33 |
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| 含 VAT 单价: | $130.06970 |


