MOSFET - 阵列 900V 149A（Tc） 352W（Tj） 底座安装
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MOSFET - 阵列 900V 149A（Tc） 352W（Tj） 底座安装
Enabling Future DCFC with onsemi’s EliteSiC Power Modules

NXH020U90MNF2PTG

DigiKey 零件编号
5556-NXH020U90MNF2PTG-ND
制造商
onsemi
制造商产品编号
NXH020U90MNF2PTG
描述
MOSFET 2N-CH 900V 149A
原厂标准交货期
20 周
客户内部零件编号
详细描述
MOSFET - 阵列 900V 149A（Tc） 352W（Tj） 底座安装
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
onsemi
系列
-
包装
托盘
零件状态
在售
技术
碳化硅（SiC）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
900V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
149A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
14 毫欧 @ 100A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.3V @ 40mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
546.4nC @ 15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
7007pF @ 450V
功率 - 最大值
352W（Tj）
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
-
基本产品编号
NXH020
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数量
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制造商标准包装
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不含 VAT 单价:$238.58000
含 VAT 单价:$260.05220