类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | onsemi | |
系列 | - | |
包装 | 托盘 | |
零件状态 | 在售 | |
技术 | 碳化硅(SiC) | |
配置 | 4 N 沟道(太阳能逆变器) | |
FET 功能 | - | |
漏源电压(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 91A(Tc) | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 16 毫欧 @ 70A,18V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4.4V @ 40mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 306nC @ 20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 6331pF @ 800V | |
功率 - 最大值 | 272W(Tj) | |
工作温度 | -40°C ~ 175°C(TJ) | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 底座安装 | |
封装/外壳 | 模块 | |
供应商器件封装 | 29-PIM(56.7x42.5) | |
基本产品编号 |
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $157.45000 | $157.45 |
| 20 | $133.26500 | $2,665.30 |
| 不含 VAT 单价: | $157.45000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $171.62050 |



