MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 400A(Tj) 1000W(Tj) 通孔 AHPM15-CDE
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NVVR26A120M1WSB

DigiKey 零件编号
5556-NVVR26A120M1WSB-ND
制造商
制造商产品编号
NVVR26A120M1WSB
描述
MOSFET 2N-CH 1200V AHPM15-CDE
原厂标准交货期
21 周
客户内部零件编号
详细描述
MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 400A(Tj) 1000W(Tj) 通孔 AHPM15-CDE
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
技术
碳化硅(SiC)
配置
2 个 N 通道(半桥)
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
1200V(1.2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
400A(Tj)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.6 毫欧 @ 400A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.2V @ 150mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1750nC @ 20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
31700pF @ 800V
功率 - 最大值
1000W(Tj)
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
等级
汽车级
资质
AEC-Q101
安装类型
通孔
封装/外壳
15-PowerDIP 模块(2.441",62.00mm)
供应商器件封装
AHPM15-CDE
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不含 VAT 单价:$535.79000
含 VAT 单价:$584.01110