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图像仅供参考，请参阅产品规格书。
NVMFD6H852NLT1G | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | NVMFD6H852NLT1GOSTR-ND - 卷带（TR） NVMFD6H852NLT1GOSCT-ND - 剪切带（CT） NVMFD6H852NLT1GOSDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
制造商 | |
制造商产品编号 | NVMFD6H852NLT1G |
描述 | MOSFET 2N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL |
原厂标准交货期 | 31 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | MOSFET - 阵列 80V 7A（Ta），25A（Tc） 3.2W（Ta），38W（Tc） 表面贴装型 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道） |
规格书 | 规格书 |
产品属性
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显示空属性
类别 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 10nC @ 10V |
制造商 onsemi | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 521pF @ 40V |
包装 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 功率 - 最大值 3.2W（Ta），38W（Tc） |
零件状态 在售 | 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ） |
技术 MOSFET（金属氧化物） | 等级 汽车级 |
配置 2 N-通道（双） | 资质 AEC-Q101 |
漏源电压（Vdss） 80V | 安装类型 表面贴装型 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 7A（Ta），25A（Tc） | 封装/外壳 8-PowerTDFN |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 25.5 毫欧 @ 10A，10V | 供应商器件封装 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道） |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2V @ 26µA | 基本产品编号 |
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剪切带（CT） & Digi-Reel® 得捷定制卷带
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $2.55000 | $2.55 |
| 10 | $1.62100 | $16.21 |
| 100 | $1.08710 | $108.71 |
| 500 | $0.85802 | $429.01 |
卷带（TR）
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1,500 | $0.69790 | $1,046.85 |
| 3,000 | $0.64554 | $1,936.62 |
| 不含 VAT 单价: | $2.55000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $2.77950 |
