Name: NVD5117PLT4G-VF01
Brand: onsemi
SKU: NVD5117PLT4G-VF01TR-ND
Price: 5.8642 SGD
Availability: InStock

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NVD5117PLT4G-VF01
DigiKey 零件编号	NVD5117PLT4G-VF01TR-ND - 卷带（TR） NVD5117PLT4G-VF01CT-ND - 剪切带（CT） NVD5117PLT4G-VF01DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	onsemi
制造商产品编号	NVD5117PLT4G-VF01
描述	MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 P 通道 60 V 11A（Ta），61A（Tc） 4.1W（Ta），118W（Tc） DPAK
规格书	规格书

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 85 nC @ 10 V
制造商 onsemi	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 4800 pF @ 25 V
零件状态不适用于新设计	功率耗散（最大值） 4.1W（Ta），118W（Tc）
FET 类型 P 通道	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	等级汽车级
漏源电压（Vdss） 60 V	资质 AEC-Q101
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 11A（Ta），61A（Tc）	安装类型表面贴装型
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V	供应商器件封装 DPAK
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 16 毫欧 @ 29A，10V	封装/外壳 TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.5V @ 250µA	基本产品编号 NVD5117

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