MOSFET - 阵列 25V 11A(Ta),21A(Ta) 800mW(Ta),900mW(Ta) 表面贴装型 8-PQFN(3.3x3.3)
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NTTFD1D8N02P1E

DigiKey 零件编号
488-NTTFD1D8N02P1E-ND
制造商
制造商产品编号
NTTFD1D8N02P1E
描述
MOSFET, POWER, 25V DUAL N-CHANNE
原厂标准交货期
41 周
客户内部零件编号
详细描述
MOSFET - 阵列 25V 11A(Ta),21A(Ta) 800mW(Ta),900mW(Ta) 表面贴装型 8-PQFN(3.3x3.3)
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
onsemi
系列
包装
散装
零件状态
在售
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 N 沟道(双)非对称型
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A(Ta),21A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4.2 毫欧 @ 15A,10V,1.4 毫欧 @ 29A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 190µA,2V @ 310µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
5.5nC @ 4.5V,17nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
873pF @ 15V,2700pF @ 15V
功率 - 最大值
800mW(Ta),900mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
等级
-
资质
-
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerWDFN
供应商器件封装
8-PQFN(3.3x3.3)
产品问答

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现货: 2,980
厂方库存:27,000
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散装
数量 单价总价
1$3.09000$3.09
10$1.97500$19.75
100$1.34250$134.25
500$1.07176$535.88
1,000$0.98473$984.73
3,000$0.87423$2,622.69
6,000$0.84525$5,071.50
制造商标准包装
不含 VAT 单价:$3.09000
含 VAT 单价:$3.36810