产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | onsemi | |
系列 | ||
包装 | 散装 | |
零件状态 | 在售 | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
配置 | 2 N 沟道(双)非对称型 | |
FET 功能 | - | |
漏源电压(Vdss) | 25V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11A(Ta),21A(Ta) | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 4.2 毫欧 @ 15A,10V,1.4 毫欧 @ 29A,10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 190µA,2V @ 310µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 5.5nC @ 4.5V,17nC @ 4.5V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 873pF @ 15V,2700pF @ 15V | |
功率 - 最大值 | 800mW(Ta),900mW(Ta) | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
封装/外壳 | 8-PowerWDFN | |
供应商器件封装 | 8-PQFN(3.3x3.3) |
现货: 2,980
厂方库存:27,000
检查是否有其他入库库存
数量
所有价格均以 SGD 计算
散装
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $3.09000 | $3.09 |
| 10 | $1.97500 | $19.75 |
| 100 | $1.34250 | $134.25 |
| 500 | $1.07176 | $535.88 |
| 1,000 | $0.98473 | $984.73 |
| 3,000 | $0.87423 | $2,622.69 |
| 6,000 | $0.84525 | $5,071.50 |
| 不含 VAT 单价: | $3.09000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $3.36810 |
您可能还对以下元器件感兴趣
1 种货品



