NTR1P02T3 已经过时且不再制造。
可用替代品:

直接

NTR1P02T1G
onsemi
现货: 14,098
单价: $0.70000
规格书

参数等效

NVR1P02T1G
onsemi
现货: 5,697
单价: $0.92000
规格书

类似

AO3409
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
现货: 18,666
单价: $0.57000
规格书

类似

BSH205G2R
Nexperia USA Inc.
现货: 0
单价: $0.63000
规格书

类似

SSM3J325F,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 0
单价: $0.47000
规格书
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SOT 23-3
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NTR1P02T3

DigiKey 零件编号
NTR1P02T3-ND - 卷带（TR）
制造商
onsemi
制造商产品编号
NTR1P02T3
描述
MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 P 通道 20 V 1A（Ta） 400mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
NTR1P02T3 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
零件状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
180 毫欧 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.5 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
165 pF @ 5 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
400mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号
NTR1P0
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