Name: NTMTSC1D6N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMTSC1D6N10MCTXGTR-ND
Price: 12.0663 SGD
Availability: InStock

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NTMTSC1D6N10MCTXG
DigiKey 零件编号	488-NTMTSC1D6N10MCTXGTR-ND - 卷带（TR） 488-NTMTSC1D6N10MCTXGCT-ND - 剪切带（CT） 488-NTMTSC1D6N10MCTXGDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	onsemi
制造商产品编号	NTMTSC1D6N10MCTXG
描述	MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
原厂标准交货期	45 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装，可润湿侧翼 N 通道 100 V 35A（Ta），267A（Tc） 5.1W（Ta），291W（Tc） 8-TDFNW（8.3x8.4）
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	NTMTSC1D6N10MCTXG 型号

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 106 nC @ 10 V
制造商 onsemi	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 7630 pF @ 50 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 5.1W（Ta），291W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装，可润湿侧翼
漏源电压（Vdss） 100 V	供应商器件封装 8-TDFNW（8.3x8.4）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 35A（Ta），267A（Tc）	封装/外壳 8-PowerTDFN
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1.7 毫欧 @ 90A，10V	基本产品编号 NTMTSC1
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 650µA