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类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.1V @ 250µA |
制造商 onsemi | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 9.3nC @ 4.5V |
包装 卷带（TR） 剪切带（CT） | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 970pF @ 15V |
零件状态 停产 | 功率 - 最大值 1.09W，1.15W |
技术 MOSFET（金属氧化物） | 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） |
配置 2 N-通道（双） | 安装类型 表面贴装型 |
漏源电压（Vdss） 30V | 封装/外壳 8-PowerTDFN |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9.1A，13.7A | 供应商器件封装 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道-非对称） |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 7.3 毫欧 @ 10A，10V | 基本产品编号 |
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剪切带（CT）
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $3.85000 | $3.85 |
| 不含 VAT 单价: | $3.85000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $4.19650 |
