MOSFET - 阵列 30V 11A（Ta），57A（Tc），25A（Ta），165A（Tc） 960mW（Ta），25W（Tc），1.04W（Ta），41W（Tc） 表面贴装型 8-PQFN（5x6）
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NTMFD001N03P9

DigiKey 零件编号
488-NTMFD001N03P9TR-ND - 卷带（TR）
488-NTMFD001N03P9CT-ND - 剪切带（CT）
488-NTMFD001N03P9DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商
onsemi
制造商产品编号
NTMFD001N03P9
描述
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
原厂标准交货期
8 周
客户内部零件编号
详细描述
MOSFET - 阵列 30V 11A（Ta），57A（Tc），25A（Ta），165A（Tc） 960mW（Ta），25W（Tc），1.04W（Ta），41W（Tc） 表面贴装型 8-PQFN（5x6）
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N 沟道（双）非对称型
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A（Ta），57A（Tc），25A（Ta），165A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5 毫欧 @ 17A，10V，1 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
7.9nC @ 4.5V，43nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1224pF @ 15V，6575pF @ 15V
功率 - 最大值
960mW（Ta），25W（Tc），1.04W（Ta），41W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
等级
-
资质
-
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerWDFN
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）
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现货: 2,987
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数量
所有价格均以 SGD 计算
剪切带（CT） & Digi-Reel® 得捷定制卷带
数量 单价总价
1$3.85000$3.85
10$2.49200$24.92
100$1.71570$171.57
500$1.40602$703.01
* 所有 Digi-Reel® 订单会收取￥49.00 卷盘费。
卷带（TR）
数量 单价总价
3,000$1.14872$3,446.16
制造商标准包装
不含 VAT 单价:$3.85000
含 VAT 单价:$4.19650