NTLJD4150PTBG onsemi | FET、MOSFET 阵列

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET FET、MOSFET 阵列	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2V @ 250µA
制造商 onsemi	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 4.5nC @ 4.5V
包装卷带（TR）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 300pF @ 15V
零件状态停产	功率 - 最大值 700mW
技术 MOSFET（金属氧化物）	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
配置 2 个 P 沟道（双）	安装类型表面贴装型
FET 功能逻辑电平门	封装/外壳 6-WDFN 祼焊盘
漏源电压（Vdss） 30V	供应商器件封装 6-WDFN（2x2）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.8A	基本产品编号 NTLJD41
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 135 毫欧 @ 4A，10V