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类似
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | onsemi | |
系列 | - | |
包装 | 卷带（TR） | |
零件状态 | 停产 | |
技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
配置 | 2 N-通道（双） | |
FET 功能 | 逻辑电平门 | |
漏源电压（Vdss） | 20V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.3A，3.6A | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 60 毫欧 @ 4.3A，4.5V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 4nC @ 4.5V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 480pF @ 10V | |
功率 - 最大值 | 1.74W | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
封装/外壳 | 6-VDFN 祼焊盘 | |
供应商器件封装 | 6-DFN（3x3） | |
基本产品编号 |
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