NTHD5904NT1G onsemi | 单 FET，MOSFET

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Nexperia USA Inc.

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Nexperia USA Inc.

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.2V @ 250µA
制造商 onsemi	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 6 nC @ 4.5 V
包装卷带（TR）	Vgs（最大值） ±8V
零件状态停产	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 465 pF @ 16 V
FET 类型 N 通道	功率耗散（最大值） 640mW（Ta）
技术 MOSFET（金属氧化物）	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
漏源电压（Vdss） 20 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.5A（Ta）	供应商器件封装 ChipFET™
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V	封装/外壳 8-SMD，扁平引线
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 65 毫欧 @ 3.3A，4.5V	基本产品编号 NTHD59

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零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
PMGD175XNEX	Nexperia USA Inc.	20	1727-2695-1-ND	$0.81000	类似
PMGD280UN,115	Nexperia USA Inc.	26,659	1727-3125-1-ND	$0.66000	类似

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