NTD4969NT4G 可以购买了,但通常没有现货。
可用替代品:

类似


onsemi
现货: 103
单价: $2.79000
规格书

类似


onsemi
现货: 9,983
单价: $1.83000
规格书

类似


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
现货: 0
单价: $1.52000
规格书

类似


Diodes Incorporated
现货: 2,494
单价: $1.42000
规格书

类似


Diodes Incorporated
现货: 0
单价: $0.44256
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 68,576
单价: $1.46000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 20,702
单价: $1.66000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 0
单价: $0.00000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 0
单价: $0.80775
规格书

类似


Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 0
单价: $0.00000
规格书

类似


Toshiba Semiconductor and Storage
现货: 0
单价: $0.00000
规格书
表面贴装型 N 通道 30 V 9.4A(Ta),41A(Tc) 1.38W(Ta),26.3W(Tc) DPAK
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

NTD4969NT4G

DigiKey 零件编号
NTD4969NT4GOSTR-ND - 卷带(TR)
制造商
制造商产品编号
NTD4969NT4G
描述
MOSFET N-CH 30V 9.4A/41A DPAK
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 30 V 9.4A(Ta),41A(Tc) 1.38W(Ta),26.3W(Tc) DPAK
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
-
包装
卷带(TR)
零件状态
在售
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
9 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
9 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
837 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.38W(Ta),26.3W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
等级
-
资质
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
基本产品编号
产品问答

了解工程师们提出的问题,提出您自己的问题,或者帮助 DigiKey 工程社区的成员

Manufacturer Quote Required
This product requires a manufacturer-approved quote before it can be ordered. Orders must meet the manufacturer’s standard package quantity, may be subject to extended lead times, and cannot be canceled or returned. Quotes are typically processed within 3–5 business days after submission.
登录注册以获取报价