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NTD12N10T4G 已经过时且不再制造。
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类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA |
制造商 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 20 nC @ 10 V |
包装 卷带（TR） | Vgs（最大值） ±20V |
零件状态 停产 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 550 pF @ 25 V |
FET 类型 | 功率耗散（最大值） 1.28W（Ta），56.6W（Tc） |
技术 | 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ） |
漏源电压（Vdss） 100 V | 安装类型 表面贴装型 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 供应商器件封装 DPAK |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V | 封装/外壳 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 165 毫欧 @ 6A，10V | 基本产品编号 |
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| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| FDD1600N10ALZ | onsemi | 22,668 | FDD1600N10ALZCT-ND | $2.26000 | 类似 |
| FQD13N10TM | onsemi | 2,683 | FQD13N10TMCT-ND | $1.96000 | 类似 |
| NTD6416ANT4G | onsemi | 8,382 | NTD6416ANT4GOSCT-ND | $2.62000 | 类似 |
| PHT6NQ10T,135 | Nexperia USA Inc. | 0 | 1727-PHT6NQ10T,135CT-ND | $1.95000 | 类似 |
过期
不可取消/不可退货
